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嵌入式MRAM關鍵應用與制造商

2020-03-19 09:36:24

STT-MRAM越來越多地被廣泛用于嵌入式內存應用之中,STT-MRAM 具有的高存儲密度、低能耗、低誤率等優勢使其有著巨大的優勢。以取代閃存、EEPROM和SRAM,有多家邏輯組件IDM /晶圓代工廠正在提供嵌入式STT-MRAM解決方案:其中還包括臺積電(TSMC,22nm ULL CMOS)、三星(Samsung,28nm FD-SOI)、GLOBALFOUNDRIES (22nm FD-SOI)、英特爾(Intel,22nm FinFET)。
 
從目前的市場角度來看,雖然現在的NAND和DRAM在未來幾年占據主導地位,但是MRAM預計將會有顯著成長。根據市場研究機構報告,到2024年的STT-MRAM市場可望達到 18億美元規模(包括12億美元規模的嵌入式方案,以及約6億美元的獨立組件),2018到2024年間的復合年成長率為85%,總產量超過30萬片晶圓(wafer production volume),同期間復合年成長率為126%。



MRAM市場報告
 
未來我們將會看到嵌入式STT-MRAM 出現在諸如物聯網(IoT)、微控制器(MCU)、汽車、邊緣運算和人工智能(AI)等應用中。美國Everspin還提供了幾種獨立的MRAM產品,鎖定包括航天、汽車、儲存、工廠自動化、IoT、智慧能源、醫療和工業機器控制/運算等應用。英尚微電子作為EVERSPIN授權的總代理,不斷給市場提供高質量的MRAM芯片,在數據中心和云存儲,業汽車和運輸市場中提供MRAM和STT-MRAM產品。  



Everspin  STT-MRAM  256Mb
Density Org. Part Number Voltage Speed Package Pack/Ship
256Mb 16Mb x 16 EMD3D256M16G2-150CBS1T 1.5v +/- 0.075v 1333 BGA Tray
256Mb 16Mb x 16 EMD3D256M16G2-150CBS1R 1.5v +/- 0.075v 1333 BGA Tape and Reel
256Mb 16Mb x 16 EMD3D256M16G2-150CBS2T 1.5v +/- 0.075v 1333 BGA Tray
256Mb 32Mb x 8 EMD3D256M08G1-187CBS2T 1.5v +/- 0.075v 1066 BGA Tray
256Mb 32Mb x 8 EMD3D256M08G1-150CBS2T 1.5v +/- 0.075v 1333 BGA Tray
256Mb 16Mb x 16 EMD3D256M16G2-187CBS2T 1.5v +/- 0.075v 1066 BGA Tray
256Mb 16Mb x 16 EMD3D256M16G2-150CBS2R 1.5v +/- 0.075v 1333 BGA Tape and Reel
256Mb 32Mb x 8 EMD3D256M08G1-187CBS2R 1.5v +/- 0.075v 1066 BGA Tape and Reel
256Mb 32Mb x 8 EMD3D256M08G1-150CBS2R 1.5v +/- 0.075v 1333 BGA Tape and Reel
256Mb 16Mb x 16 EMD3D256M16G2-187CBS2R 1.5v +/- 0.075v 1066 BGA Tape and Reel
256Mb 32Mb x 8 EMD3D256M08G1-150CBS1 1.5v +/- 0.075v 1333 BGA Trays
256Mb 32Mb x 8 EMD3D256M08G1-150CBS1T 1.5v +/- 0.075v 1333 BGA Tray
256Mb 32Mb x 8 EMD3D256M08G1-150CBS1R 1.5v +/- 0.075v 1333 BGA Tape and Reel
256Mb 16Mb x 16 EMD3D256M16G2-150CBS1 1.5v +/- 0.075v 1333 BGA Trays


本文關鍵詞: MRAM

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